深圳市浩畅半导体有限公司

直插三极管C1384基本参数：

产品封装：TO-92L

产品类型：直插三极管

产品品牌：HC/浩畅

是否含铅：无铅环保

材料：硅胶

产品极性：NPN

管脚排列：CBE         

反压BVCBO: 60V

击穿电压BVCEO: 50V

集电极电流IC: 1000MA

集电极耗散功率PC:750MW

频率FT: 200+MHZ

放大倍数HFE:85-340

储存温度℃ :-55 TO +150

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极电流、反向电压、反向电流等。

放大系数

直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

交流放大倍数

交流放大倍数，也即交流电流放大系数、动态电流放大系数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

耗散功率

耗散功率也称集电极允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

特征频率fT

晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

振荡频率fM

振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频晶体管的振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

集电极电流

集电极电流（ICM）是指晶体管集电极所允许通过的电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。

反向电压

反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

集电极——集电极反向击穿电压

该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。

基极—— 基极反向击穿电压

该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。

发射极——发射极反向击穿电压

该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。

集电极——基极之间的反向电流ICBO

ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO

ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。